EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nxe:3800e euv
nxe:3800e euv 文章 進(jìn)入nxe:3800e euv技術(shù)社區
臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機，采用時(shí)間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報》昨日報道稱(chēng)，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營(yíng)運資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運長(cháng)張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來(lái)制程節點(diǎn)的成本效益與可擴展性，目前采用時(shí)間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機，圖源：ASML上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價(jià)值達 3.8
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML 光刻機 EUV
臺積電大舉拉貨EUV光刻機
- 臺積電依然是 EUV 設備的最大買(mǎi)家。臺積電 2nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設備廠(chǎng)正如火如荼交機，尤以先進(jìn)制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò) 60 臺 EUV，總投資金額上看超過(guò) 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續擴充之下，ASML 2025 年交付數量增長(cháng)將超過(guò) 3 成，臺廠(chǎng)供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠(chǎng)商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長(cháng)達 16~20
- 關(guān)鍵字： EUV
ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價(jià)翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過(guò)ASML已經(jīng)開(kāi)始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價(jià)格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會(huì )更高。目前每臺EUV光刻機的價(jià)格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
- 關(guān)鍵字： ASML Hyper-NA EUV 光刻機 臺積電 三星 英特爾
獨擁四大連續制程設備 TEL成EUV出貨大贏(yíng)家
- 國際設備大廠(chǎng)東京威力科創(chuàng )（TEL）為全球唯一擁有沉積、涂布／顯影、蝕刻、清洗四大連續制程設備之公司，是晶圓片進(jìn)入EUV曝光前重要步驟。TEL宮城總裁神原弘光指出，隨著(zhù)芯片設計演進(jìn)，蝕刻技術(shù)不斷朝著(zhù)3D化方向演進(jìn)，垂直堆棧發(fā)展、更有效利用空間，然而堆棧層數的增加，在成膜次數跟蝕刻時(shí)間、次數也會(huì )隨之增加，所需的機臺數量同步成長(cháng)。 EUV大廠(chǎng)擁有近乎100％市占率，TEL在涂布／顯影與之緊密配合，同樣近乎獨占；換言之，只要EUV出貨，TEL亦將同步受惠。TEL更透露，早已在臺設置研發(fā)中心，近期更會(huì )擴增潔凈室規模
- 關(guān)鍵字： 制程設備 EUV TEL
臺積電EUV大舉拉貨 供應鏈集體狂歡
- 臺積電2納米先進(jìn)制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn)，設備廠(chǎng)正如火如荼交機，尤以先進(jìn)制程所用之EUV（極紫外光曝光機）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過(guò)60臺EUV，總投資金額上看超過(guò)4,000億元。在產(chǎn)能持續擴充之下，ASML2025年交付數量成長(cháng)將超過(guò)3成，臺廠(chǎng)供應鏈沾光，其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設備業(yè)者透露，EUV機臺供應吃緊，交期長(cháng)達16至20個(gè)月，因此2024年訂單大部分會(huì )于后年開(kāi)始交付；據法人估計，今年臺積電EUV訂
- 關(guān)鍵字： 2納米 先進(jìn)制程 ASML EUV 臺積電
可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時(shí)正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實(shí)現1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財務(wù)官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線(xiàn)發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線(xiàn)前景不明。積極尋求突破的中國廠(chǎng)商是持續投入資源突破現有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據《芯智訊》報導，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結束，預計在第2季度或第3季度開(kāi)始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設備訂單。ASML預測其設備的市場(chǎng)需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
- 關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻機
臺積電今年將拿到最新款光刻機
- 6月6日消息，據外媒報道稱(chēng)，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機，單臺造價(jià)達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話(huà)會(huì )議上告訴分析師，公司兩大客戶(hù)臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠(chǎng)。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶(hù)臺積電何時(shí)會(huì )收到設備。據悉，這些機器每臺造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車(chē)A
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻機 高NA EUV
EUV光刻機“忙瘋了”
- 據市場(chǎng)消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設備必然無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)對先進(jìn)制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當地時(shí)間6月3日，全球最大的半導體設備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時(shí)微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營(yíng)。推動(dòng)摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
- 關(guān)鍵字： EUV 光刻機 EDA設計
ASML和IMEC啟用聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室
- 自ASML官網(wǎng)獲悉，6月3日，比利時(shí)微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開(kāi)設聯(lián)合High-NA EUV光刻實(shí)驗室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運營(yíng)。聲明中稱(chēng)，經(jīng)過(guò)多年的構建和集成，該實(shí)驗室已準備好為領(lǐng)先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進(jìn)材料和設備供應商提供第一臺原型高數值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周?chē)奶幚砗陀嬃抗ぞ?。據悉，該?lián)合實(shí)驗室的開(kāi)放是High-NA EUV大批量生
- 關(guān)鍵字： 阿斯麥 ASML EUV
臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠(chǎng)
- 據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠(chǎng)，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠(chǎng)房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱(chēng)最快2027年底便可投入營(yíng)運。報道稱(chēng)，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠(chǎng)并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數據中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM 日本 EUV
nxe:3800e euv介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條nxe:3800e euv!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
nxe:3800e euv專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473